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- 品番:
- FQA28N15_F109
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQA28N15_F109 electronic components. FQA28N15_F109 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQA28N15_F109, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQA28N15_F109 製品の属性
品番 :
FQA28N15_F109
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
33A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
90 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
52nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1600pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
227W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3PN
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3
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