説明 :
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
6.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
42 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
26nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
625pF @ 15V
FET機能 :
Schottky Diode (Isolated)
消費電力(最大) :
2W (Ta), 3.3W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)