ON Semiconductor - FQPF19N10

KEY Part #: K6420081

FQPF19N10 価格設定(USD) [158011個在庫]

  • 1 pcs$0.23408
  • 1,000 pcs$0.22723

品番:
FQPF19N10
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FQPF19N10 electronic components. FQPF19N10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF19N10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQPF19N10 製品の属性

品番 : FQPF19N10
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 13.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 780pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 38W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220F
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

あなたも興味があるかもしれません