SUD50N024-09P-E3 価格設定（USD） [168688個在庫]
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- 品番:
- SUD50N024-09P-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 22V 49A TO252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SUD50N024-09P-E3 electronic components. SUD50N024-09P-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUD50N024-09P-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SUD50N024-09P-E3 製品の属性
品番 :
SUD50N024-09P-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 22V 49A TO252
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
22V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
49A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
16nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1300pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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