説明 :
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
4.1A, 3A
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
70 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
16nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
630pF @ 24V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)