ON Semiconductor - MMDF2C03HDR2

KEY Part #: K6524702

[3744個在庫]


    品番:
    MMDF2C03HDR2
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor MMDF2C03HDR2 electronic components. MMDF2C03HDR2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMDF2C03HDR2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MMDF2C03HDR2 製品の属性

    品番 : MMDF2C03HDR2
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N and P-Channel
    FET機能 : Logic Level Gate
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.1A, 3A
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 70 mOhm @ 3A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 16nC @ 10V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 630pF @ 24V
    パワー-最大 : 2W
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC

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