Toshiba Semiconductor and Storage - TK13A65U(STA4,Q,M)

KEY Part #: K6406732

TK13A65U(STA4,Q,M) 価格設定(USD) [7963個在庫]

  • 1 pcs$1.59974
  • 10 pcs$1.42875
  • 100 pcs$1.17165
  • 500 pcs$0.90011
  • 1,000 pcs$0.75913

品番:
TK13A65U(STA4,Q,M)
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 13A TO-220SIS.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK13A65U(STA4,Q,M) electronic components. TK13A65U(STA4,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK13A65U(STA4,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK13A65U(STA4,Q,M) 製品の属性

品番 : TK13A65U(STA4,Q,M)
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N-CH 650V 13A TO-220SIS
シリーズ : DTMOSII
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 13A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 380 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 950pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 40W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220SIS
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

あなたも興味があるかもしれません
  • TK40P04M1(T6RSS-Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.

  • TK40P03M1(T6RSS-Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A.

  • IRLR8256PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 81A DPAK.

  • IRLR8259PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 57A DPAK.

  • NDF08N50ZG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP.

  • NDF05N50ZG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V TO-220FP.