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Microsemi Corporation - JANTX1N6639US

KEY Part #: K6427257

JANTX1N6639US 価格設定（USD） [5768個在庫]

  • 1 pcs$7.14503
  • 100 pcs$5.46384
品番:
JANTX1N6639US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6639US electronic components. JANTX1N6639US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6639US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N6639US 製品の属性

品番 : JANTX1N6639US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/609
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 75V
電流-平均整流（Io） : 300mA (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.2V @ 300mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 4ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 75V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, D
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5D
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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