EMD4DXV6T1G 価格設定（USD） [1165811個在庫]
- 1 pcs$0.03173
- 12,000 pcs$0.02412
- 品番:
- EMD4DXV6T1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor EMD4DXV6T1G electronic components. EMD4DXV6T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EMD4DXV6T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EMD4DXV6T1G 製品の属性
品番 :
EMD4DXV6T1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
抵抗-ベース（R1） :
47 kOhms, 10 kOhms
抵抗-エミッターベース（R2） :
47 kOhms
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
80 @ 5mA, 10V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
250mV @ 300µA, 10mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
500nA
頻度-遷移 :
-
パワー-最大 :
500mW
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-563
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- PUMD12/DG/B3,115
- RN4910(T5L,F,T)
- RN2911(T5L,F,T)
- MUN5114DW1T1
- UP0121400L
- FMG9AT248
- UP04213G0L
- NSTB1002DXV5T1
- MUN5316DW1T1
- MUN5234DW1T1
- MUN5230DW1T1
- MUN5135DW1T1
- BCR48PNE6327BTSA1
- BCR116SE6327BTSA1
- XP0421M00L
- XP0221100L
- XN0413000L
- NP0G3A000A
- NP043A300A
- UP0111300L
- NSBC123JDXV6T1
- EMD5DXV6T1
- NSBC143EDXV6T1
- NSBC143TDXV6T1
- MUN5311DW1T1
- DCX114YU-7
- XP0621200L
- XN0431400L
- XN0421200L
- XN0411200L
- XP0431500L
- DDA114TU-7
- DDA123JU-7
- RN1902T5LFT
- RN4906,LF
- IMD1AT108
- FMA11AT148
- BCR22PNH6327XTSA1
- PRMH11Z
- BCR141SH6327XTSA1